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IRD3910	文件：97.56 Kbytes Page：4 Pages	20AND30AMPFASTRECOVERYRECTIFIERDIODES Description ThisrangeoffastrecoverydiodesisdesignedforapplicationsinDCpowersupplies,inverters,choppers,ultrasonicsystemandforuseasafree-wheelingdiode. Features ■Shortreverserecoverytime ■Lowstoredcharge ■Widecurrentrange ■Excellentsurgecapabilities ■Stu	IRF International Rectifier	IRF
IRD3910	文件：89.22 Kbytes Page：1 Pages	RectifiersFastRecovery	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
IRFR3910	文件：3.73884 Mbytes Page：10 Pages	UltraLowOn-Resistance Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,p	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR3910	文件：141.83 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET(Vdss=100V,Rds=0.115ohm,Id=16A)	IRF International Rectifier	IRF
IRFR3910	文件：335.48 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor •DESCRITION •Fastswitching •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤115mΩ •Enhancementmode: •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFR3910	文件：772.95 Kbytes Page：7 Pages	TheD-PAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques. Features VDS(V)=100V ID=16A(VGS=10V) RDS(ON)=115mW(VGS=10V)	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司	UMW
IRFR3910	文件：723.93 Kbytes Page：7 Pages	MOSFET Description TheD-PAKisdesignedforsurfacemounting usingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques. Powerdissipationlevelsupto1.5watts arepossibleintypicalsurfacemountapplications. Features VDS(V)=100V ID=16A(VGS=10V) RDS(ON)=115mW(VGS=10V)	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊欧翊欧半导体	EVVOSEMI
IRFR3910PBF	文件：393.26 Kbytes Page：10 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,p	IRF International Rectifier	IRF
IRFR3910PBF	文件：397.99 Kbytes Page：11 Pages	UltraLowOn-Resistance	IRF International Rectifier	IRF
IRFR3910PBF	文件：397.99 Kbytes Page：11 Pages	ULTRALOWONRESISTANCE	IRF International Rectifier	IRF

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深圳市威尔健半导体有限公司	IR/FR3910	IR	23+	SOT252	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳市得捷芯城科技有限公司	IR/FR3910	IR	24+	NA/	120	优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票	询价
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更多IR/FR3910供应商更新时间2025-7-28 11:00:00

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