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IQD063N15NM5SC中文资料OptiMOS ™功率 MOSFET 150 V 采用 PQFN 5x6 源极向下 DSC 封装，具有业界领先的 RDS(on)。数据手册Infineon规格书
IQD063N15NM5SC规格书详情
描述 Description
功率 MOSFET IQD063N15NM5SC 具有 6,32 mOhm 的低 RDS(on) 以及出色的热性能，可轻松实现功率损耗管理。此外，与包覆成型封装相比，双面冷却封装可消散五倍以上的功率。这使得各种终端应用的系统效率和功率密度更高。
特性 Features
• 尖端的 150 V 硅技术
• 出色的 FOM
• 改善热性能
• 超低寄生效应
• 最大化芯片/封装比
应用 Application
• 汽车LED尾灯功能
技术参数
- 制造商编号
：IQD063N15NM5SC
- 生产厂家
：Infineon
- QG(typ @10V)
：48 nC
- RDS (on)(@10V) max
：6.32 mΩ
- VDSmax
：150 V
- VGS(th)
：3.8 V
- Package
：PQFN 5x6 Source-Down
- Operating Temperature
：-55 °C to 175 °C
- Polarity
：N
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
N_A |
23+ |
原厂封装 |
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Infineon/英飞凌 |
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Infineon/英飞凌 |
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SMD |
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Infineon |
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