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IQD063N15NM5CG中文资料OptiMOS ™功率 MOSFET 150 V，采用 PQFN 5x6 mm2 Source-Down 封装，具有业界领先的 RDS(on) 。数据手册Infineon规格书
IQD063N15NM5CG规格书详情
描述 Description
功率 MOSFET IQD063N15NM5CG 150 V 采用 PQFN 5x6 mm2 源极朝下封装。该部件提供业界最低的 RDS(on) 6.3 mΩ，并结合出色的热性能，可轻松实现功率损耗管理。这使得各种终端应用（如 SMPS、电信电源、服务器、太阳能、电池供电应用、中压驱动器、无人机、机器人、轻型电动汽车和电池管理系统）的系统效率和功率密度更高。
特性 Features
• 采用硅技术 OptiMOS ™ 150 V，带 FOM
• 具有散热功能的源极向下封装
• 具有最大化芯片比的源极向下封装
• 采用中心栅极封装的源极向下封装
技术参数
- 制造商编号
：IQD063N15NM5CG
- 生产厂家
：Infineon
- IDpulsmax
：592 A
- QG(typ @10V)
：48 nC
- RDS (on)(@10V) max
：6.32 mΩ
- VDSmax
：150 V
- VGS(th)
：3.8 V
- Package
：PQFN 5x6 Source-Down
- Operating Temperature
：-55 °C to 150 °C
- Polarity
：N
- Special Features
：Center-Gate
- Budgetary Price €/1k
：2.04
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