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IQD020N10NM5CGSC中文资料OptiMOS ™功率 MOSFET 100 V，采用 PQFN 5x6 源极向下中心栅极 DSC 封装，具有行业领先的 RDS(on)数据手册Infineon规格书
IQD020N10NM5CGSC规格书详情
描述 Description
功率 MOSFET IQD020N10NM5CGSC 具有 2.05 mOhm 的低 RDS(on) 以及出色的热性能，可轻松实现功率损耗管理。中心门占用空间针对并行化进行了优化。此外，与包覆成型封装相比，双面冷却封装可消散五倍以上的功率。这使得各种终端应用的系统效率和功率密度更高。
特性 Features
• 尖端的 100 V 硅技术
• 出色的 FOM
• 改善热性能
• 超低寄生效应
• 最大化芯片/封装比
• 中心门足迹
• 行业标准软件包
应用 Application
• 汽车LED尾灯功能
技术参数
- 制造商编号
：IQD020N10NM5CGSC
- 生产厂家
：Infineon
- QG(typ @10V)
：107 nC
- RDS (on)(@10V) max
：2.05 mΩ
- VDSmax
：100 V
- VGS(th)
：3 V
- Package
：PQFN 5x6 Source-Down
- Operating Temperature
：-55 °C to 175 °C
- Polarity
：N
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
C-MACFREQUEN |
06+ |
原厂原装 |
5110 |
只做全新原装真实现货供应 |
询价 | ||
Infineon |
25+ |
N/A |
7500 |
原装现货17377264928微信同号 |
询价 | ||
HF |
23+ |
SOP |
10000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | ||
Infineon |
23+ |
PG-TSON-8 |
15500 |
英飞凌优势渠道全系列在售 |
询价 | ||
N/A |
2447 |
SMD |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
询价 | ||
NK/南科功率 |
2025+ |
DFN5X6 |
986966 |
国产 |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
25+ |
原厂封装 |
10280 |
原厂授权代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源！ |
询价 | ||
N_A |
23+ |
原厂封装 |
9888 |
专做原装正品,假一罚百! |
询价 | ||
鑫远鹏 |
25+ |
NA |
5000 |
价优秒回原装现货 |
询价 | ||
N/A |
24+/25+ |
2600 |
原装正品现货库存价优 |
询价 |
