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IQD020N10NM5CG中文资料OptiMOS ™功率 MOSFET 100 V，采用 PQFN 5x6 mm2 源极朝下封装，具有行业领先的 RDS(on) 。数据手册Infineon规格书
IQD020N10NM5CG规格书详情
描述 Description
功率 MOSFET IQD020N10NM5CG 100 V 正常电平采用 PQFN 5x6 mm2 源极朝下封装。该部件提供业界最低的 2.0 mΩ RDS(on) 以及出色的热性能，可轻松实现功率损耗管理。这使得各种终端应用（如SMPS、电池供电应用、电池管理和低压驱动器）能够实现更高的系统效率和功率密度。
特性 Features
• 采用硅技术 OptiMOS ™ 100 V，带 FOM
• 具有散热功能的源极向下封装
• 具有最大化芯片比的源极向下封装
• 采用中心栅极封装的源极向下封装
技术参数
- 制造商编号
：IQD020N10NM5CG
- 生产厂家
：Infineon
- IDpulsmax
：1092 A
- QG(typ @10V)
：107 nC
- RDS (on)(@10V) max
：2.05 mΩ
- VDSmax
：100 V
- VGS(th)
：3 V
- Package
：PQFN 5x6 Source-Down
- Operating Temperature
：-55 °C to 175 °C
- Polarity
：N
- Special Features
：Center-Gate
- Budgetary Price €/1k
：1.95
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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原厂封装 |
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Infineon |
25+ |
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