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IPU13N03LAG	文件：403.6 Kbytes Page：12 Pages	OptiMOS짰2Power-Transistor 13NO3LA->CorrectPartnumber:13N03LA 1.Idealforhigh-frequencydc/dcconverters 2.QualifiedaccordingtoJEDECfortargetapplications 3.N-channel,logiclevel 4.ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) 5.Superiorthermalresistance 6.175°Coperatingtemperature	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
PHK13N03LT	文件：236.07 Kbytes Page：12 Pages	TrenchMOSlogiclevelFET	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PHK13N03LT	文件：691.9 Kbytes Page：12 Pages	N-channelTrenchMOSlogiclevelFET 1.1Generaldescription LogiclevelN-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaplastic packageusingTrenchMOStechnology.Thisproductisdesignedandqualifiedforusein computing,communications,consumerandindustrialapplicationsonly. 1.2Featuresandbenefits Low	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PHKD13N03LT	文件：781.66 Kbytes Page：13 Pages	DualN-channelTrenchMOSlogiclevelFET 1.1Generaldescription DuallogiclevelN-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaplastic packageusingTrenchMOStechnology.Thisproductisdesignedandqualifiedforusein computing,communications,consumerandindustrialapplicationsonly. 1.2Featuresandbenefits	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PHKD13N03LT	文件：1.05121 Mbytes Page：9 Pages	DualN-Channel30V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
PHKD13N03LT	文件：241.47 Kbytes Page：12 Pages	DualTrenchMOS??logiclevelFET	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips

详细参数

型号：
IPU13N03LA G
功能描述：
MOSFET N-CH 25V 30A
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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