| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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7793 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-251 |
59 |
2024+实力库存 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
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深圳市赛能新源半导体有限公司4年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-251 |
60000 |
21+ |
原装正品进口现货 |
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深圳市特莱科技有限公司6年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-251 |
3704 |
21+23+ |
16年电子元件现货供应商 终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市亚泰盈科电子有限公司11年
留言
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INFINEONTO-251 |
30216 |
提供BOM表配单TEL:0755-83759919QQ:2355705587杜S |
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深圳市赛美科科技有限公司9年
留言
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西门子TO-251 |
68500 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
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深圳市富芯乐电子科技有限公司9年
留言
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西门子SOT-3715&NBS |
4500 |
22+ |
全新原装品牌专营 |
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易创佳业科技（深圳）有限公司3年
留言
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ITO-252 |
6000 |
23+ |
原装正品，支持实单 |
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深圳市一线半导体有限公司15年
留言
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西门子TO-251 |
850 |
03+ |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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ITO-252 |
25000 |
22+ |
只做原装进口现货,专注配单 |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-251 |
8000 |
23+ |
只做原装现货 |
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京海半导体(深圳)有限公司3年
留言
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英飞凌TO-251 |
10000 |
21+ |
原装现货假一罚十 |
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深圳市国宇半导体科技有限公司5年
留言
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ITO-252 |
10000 |
23+ |
公司只做原装正品 |
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深圳市能创芯电子科技有限公司7年
留言
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西门子TO-252 |
3000 |
23+ |
原装正品假一罚百!可开增票! |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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ITO-252 |
6000 |
22+ |
十年配单,只做原装 |
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深圳市柯尔基电子有限公司10年
留言
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英飞凌TO-251 |
59630 |
23+24 |
主营原装MOS,二三级管,肖特基,功率场效应管 |
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深圳市百视威讯电子科技有限公司3年
留言
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N/A |
46080 |
23+ |
正品授权货源可靠 |
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深圳市博浩通科技有限公司14年
留言
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InfineonTO-251 |
7750 |
23+ |
全新原装优势 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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INFINEON/英飞凌NA/ |
1652 |
23+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市天成基业科技有限公司2年
留言
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infineonTO251 |
3695 |
20+/21+ |
全新原装公司现货 |
IPU06N03采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
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IPU06N03LAG价格
IPU06N03LAG价格：￥6.6495品牌：Infineon
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IPU06N03LAG中文资料Alldatasheet PDF
更多IPU06N03LA制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:OptiMOS 2 Power-Transistor
IPU06N03LA G功能描述:MOSFET N-CH 25V 50A TO-251 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:OptiMOS™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IPU06N03LAG功能描述:MOSFET N-KANAL POWER MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IPU06N03LAGXK制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 25V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-251
IPU06N03LB制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPU06N03LB G功能描述:MOSFET N-CH 30V 50A IPAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:OptiMOS™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IPU06N03LBG功能描述:MOSFET N-KANAL POWER MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IPU06N03LBGXK制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-251
IPU06N03LZG功能描述:MOSFET N-KANAL POWER MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IPU06N03LZGXK制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 25V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-251
