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IPTG039N15NM5中文资料英飞凌数据手册PDF规格书

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厂商型号

IPTG039N15NM5

功能描述

MOSFET OptiMOSTM 5 Power-Transistor, 150 V

丝印标识

039N15N5

封装外壳

PG-HSOG-8

文件大小

1.63257 Mbytes

页面数量

13

生产厂商

Infineon

中文名称

英飞凌

网址

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数据手册

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更新时间

2025-12-13 17:32:00

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IPTG039N15NM5规格书详情

特性 Features

• N-channel, normal level

• Very low on-resistance RDS(on)

• Superior thermal resistance

• 100 avalanche tested

• Pb-free lead plating; RoHS compliant

• Halogen-free according to IEC61249-2-21

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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