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KBU2006G	文件：410.61 Kbytes Page：3 Pages	GlassPassivatedBridgeRectifiers	HY HY ELECTRONIC CORP.	HY
KBU2006G	文件：145.13 Kbytes Page：3 Pages	GLASSPASSIVATED3PHASEBRIDGERECTIFIERS	HY HY ELECTRONIC CORP.	HY
KSR2006	文件：65.61 Kbytes Page：2 Pages	PNP(SWITCHINGAPPLICATION) SWITCHINGAPPLICATION(BiasResistorBuiltIn) •Switchingcircuit,Inverter,Interfacecircuit,Drivercircuit •BuiltinbiasResistor(R1=10KΩ,R2=47KΩ) •ComplementtoKSR1006	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung
LM2006K	文件：621.98 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelMOSFET	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司	LEIDITECH
M2006C	文件：197.46 Kbytes Page：5 Pages	PIRMotionDetector	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
MC2006	文件：96.51 Kbytes Page：2 Pages	155MbpsPre-Amplifier	MA-COM M/A-COM Technology Solutions, Inc.	MA-COM
MR2006	文件：288.11 Kbytes Page：4 Pages	MEDIUMCURRENTSILICONRECTIFIERS	DIGITRON Digitron Semiconductors	DIGITRON
MR2006S	文件：85.91 Kbytes Page：1 Pages	MEDIUM-CURRENTSILICONRECTIFIERS	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
MRFIC2006	文件：165.09 Kbytes Page：8 Pages	900MHz2STAGEPASILICONMONOLITHICINTEGRATEDCIRCUIT TheMRFIC2006isanIntegratedPAdesignedforlinearoperationinthe800MHzto1.0GHzfrequencyrange.ThedesignutilizesMotorola’sadvancedMOSAIC3siliconbipolarRFprocesstoyieldsuperiorperformanceinacosteffectivemonolithicdevice.ApplicationsfortheMRFIC2006includeCT-1an	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MS2006	文件：462.27 Kbytes Page：1 Pages	DCAXIALFANS	MECHATRONICS Mechatronics, Inc.	MECHATRONICS

详细参数

型号：
IPT2006-BEA
制造商：
IPS
制造商全称：
IP SEMICONDUCTOR CO., LTD.
功能描述：
High current density due to double mesa technology

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