丝印：063N15N5；Package：PG-HSOF-8；OptiMOSTM 5 Power-Transistor, 150 V

Features • N-channel • Very low on-resistance RDS(on) • Superior thermal resistance • 100 avalanche tested • Pb-free lead plating; RoHS compliant • Halogen-free according to IEC61249-2-21

文件：1.04975 Mbytes 页数：11 Pages

Infineon

英飞凌

OptiMOS ™ 5 功率 MOSFET 150 V 6.3 mOhm（TOLL）

\n优势:\n• Less paralleling and cooling required\n• Highest system reliability\n• Low EMI\n• Enabling very compact design;

Infineon

英飞凌

SAMTEC/砷泰
汽车电子连接器

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上传：天津市博通航睿技术有限公司

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