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IPT063N15N5	文件：1.04975 Mbytes Page：11 Pages	丝印：063N15N5；Package：PG-HSOF-8；OptiMOSTM 5 Power-Transistor, 150 V Features • N-channel • Very low on-resistance RDS(on) • Superior thermal resistance • 100 avalanche tested • Pb-free lead plating; RoHS compliant • Halogen-free according to IEC61249-2-21 文件：1.04975 Mbytes 页数：11 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
IPT063N15N5	文件：300 bytes Page：1 Pages	OptiMOS ™ 5 功率 MOSFET 150 V 6.3 mOhm（TOLL） \n优势:\n• Less paralleling and cooling required\n• Highest system reliability\n• Low EMI\n• Enabling very compact design;	Infineon 英飞凌	Infineon
IPT1-110-02-L-D	文件：0 bytes Page：0 Pages	汽车电子连接器	SAMTEC/砷泰上传：天津市博通航睿技术有限公司	SAMTEC/砷泰
IPT1-110-06-L-D	文件：0 bytes Page：0 Pages	汽车电子连接器	SAMTEC/砷泰上传：天津市博通航睿技术有限公司	SAMTEC/砷泰
IPT1-110-09-L-D	文件：0 bytes Page：0 Pages	汽车电子连接器	SAMTEC/砷泰上传：天津市博通航睿技术有限公司	SAMTEC/砷泰

更多IPT063N15N5供应商更新时间2024-2-29 11:17:00