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IPT023N10NM5LF2数据手册Infineon中文资料规格书

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厂商型号

IPT023N10NM5LF2

功能描述

OptiMOS ™ 5 单 N 沟道线性 FET 2 100 V、2.3 mΩ、243 A,采用 TOLL 封装

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-8-16 18:53:00

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IPT023N10NM5LF2规格书详情

描述 Description

OptiMOS ™ 5 Linear FET 2 技术实现了导通电阻和线性模式能力之间的最佳平衡。IPT023N10NM5LF2 与 TOLL 封装相结合,适用于浪涌电流保护,例如热插拔、电子保险丝和电池管理系统 (BMS) 中的电池保护。

特性 Features

• 宽安全操作区 (SOA)

• 低 RDS(on)

• 与线性 FET 相比,IGSS 更低

• 优化传输特性

应用 Application

• 电信基础设施

技术参数

  • 制造商编号

    :IPT023N10NM5LF2

  • 生产厂家

    :Infineon

  • QG(typ @10V)

    :115 nC

  • RDS (on)(@10V) max

    :2.3 mΩ

  • VDSmax

    :100 V

  • VGS(th)

    :3.1 V

  • Package

    :TOLL (HSOF-8)

  • Operating Temperature

    :-55 °C to 175 °C

  • Polarity

    :N

  • Special Features

    :Wide SOA

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Infineon
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PG-HSOF-8
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