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IPT004N03L中文资料N 沟道功率 MOSFET数据手册Infineon规格书

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厂商型号

IPT004N03L

功能描述

N 沟道功率 MOSFET

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-9-24 15:31:00

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IPT004N03L规格书详情

描述 Description

英飞凌的 To-无导线封装针对大电流应用进行优化,例如,叉车、轻型电动车 (LEV)、POL(负载点)和电信。这种封装是高功率应用的理想解决方案,这种场合需要高效率、出色的电磁干扰性能以及出色的热性能和节省的空间。

特性 Features

• 行业内较低的 (RDS(on))
• 最高电流容量高达 300A
• 极低的封装寄生效应和电感

优势:
• 需要较少的并联和冷却
• 提高系统可靠性
• 降低系统成本
• 支持极为紧凑的设计

应用 Application

• 铲车
• 轻型电动车辆 (LEV),例如,电动滑板车、电动自行车或 µ-汽车
• 负载点 (POL)
• 通信
• eFuse

技术参数

  • 制造商编号

    :IPT004N03L

  • 生产厂家

    :Infineon

  • OPN

    :IPT004N03LATMA1

  • Qualification

    :Non-Automotive

  • Package name

    :TOLL (PG-HSOF-8)

  • VDS max

    :30 V

  • RDS (on) @10V max

    :0.4 mΩ

  • RDS (on) @4.5V max

    :0.5 mΩ

  • ID @25°C max

    :300 A

  • QG typ @10V

    :252 nC

  • QG typ @4.5V

    :122 nC

  • Special Features

    :Wide SOA

  • Polarity

    :N

  • Operating Temperature min

    :-55 °C

  • Operating Temperature max

    :150 °C

  • VGS(th) min

    :0.7 V

  • VGS(th) max

    :2.2 V

  • Technology

    :OptiMOS™

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