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IPS10N03LAG	文件：403.13 Kbytes Page：12 Pages	OptiMOS짰2 Power-Transistor Features •Idealforhigh-frequencydc/dcconverters •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplication •N-channel,logiclevel •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Superiorthermalresistance •175°Coperatingtemperature •Pb-freeleadplating;RoHScompliant	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
10N03L	文件：452.29 Kbytes Page：8 Pages	OptiMOSBuckconverterseries	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
10N03LA	文件：1.7366 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
10N03LA	文件：1.83276 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
HM10N03D	文件：760.93 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司
IPB10N03L	文件：452.29 Kbytes Page：8 Pages	OptiMOSBuckconverterseries	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
IPB10N03LB	文件：205.32 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS짰2Power-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
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IPF10N03LAG	文件：403.13 Kbytes Page：12 Pages	OptiMOS짰2Power-Transistor Features •Idealforhigh-frequencydc/dcconverters •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplication •N-channel,logiclevel •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Superiorthermalresistance •175°Coperatingtemperature •Pb-freeleadplating;RoHScompliant	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
IPP10N03L	文件：452.29 Kbytes Page：8 Pages	OptiMOSBuckconverterseries	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
IPP10N03LB	文件：338.85 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS짰2Power-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
IPP10N03LBG	文件：275.77 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS2Power-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
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IPS10N03LA	文件：412.96 Kbytes Page：11 Pages	OptiMOS2Power-Transistor Features •Idealforhigh-frequencydc/dcconverters •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplication •N-channel,logiclevel •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Superiorthermalresistance •175°Coperatingtemperature •Pb-freeleadplating;RoHScompliant	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
IPU10N03LA	文件：412.96 Kbytes Page：11 Pages	OptiMOS2Power-Transistor Features •Idealforhigh-frequencydc/dcconverters •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplication •N-channel,logiclevel •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Superiorthermalresistance •175°Coperatingtemperature •Pb-freeleadplating;RoHScompliant	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司

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详细参数

型号：
IPS10N03LAG
功能描述：
MOSFET N-KANAL POWER MOS
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市特顺芯科技有限公司	IPS10N03LAG	INFINEON	08+(pbfree)	IPAKSL(TO-251SL)	8866		询价
深圳市博浩通科技有限公司	IPS10N03LAG	INFINEON	23+	TO251-3	11530	全新原装	询价
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更多IPS10N03LAG供应商更新时间2024-4-25 16:30:00

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