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IPS024G	文件：300 bytes Page：1 Pages	QUAD FULLY PROTECTED POWER MOSFET SWITCH	Infineon 英飞凌	Infineon
IPS024G	文件：102.16 Kbytes Page：10 Pages	QUAD FULLY PROTECTED POWER MOSFET SWITCH 文件：102.16 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IPS024G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；包装：管件类别：集成电路（IC）配电开关，负载驱动器描述：IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 16SOIC	INFINEON 英飞凌	INFINEON
IRFD024	文件：172.17 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=0.10ohm, Id=2.5A) 文件：172.17 Kbytes 页数：6 Pages	IRF	IRF
IRFD024	文件：1.13847 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The 4 pin DIP package is a low cost machine-insertable case style which can be stacked in multiple combinat 文件：1.13847 Mbytes 页数：8 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRFD024	文件：1.27397 Mbytes Page：9 Pages	Power MOSFET 文件：1.27397 Mbytes 页数：9 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY

产品属性

产品编号：
IPS024G
制造商：
Infineon Technologies
类别：
集成电路（IC） > 配电开关，负载驱动器
包装：
管件
开关类型：
通用
输出数：
4
比率 - 输入：
1：1
输出配置：
低端
输出类型：
N 通道
接口：
开/关
电压 - 负载：
35V（最大）
电压 - 供电 (Vcc/Vdd)：
不需要
电流 - 输出（最大值）：
700mA
导通电阻（典型值）：
135 毫欧
输入类型：
非反相
故障保护：
限流（固定），超温
工作温度：
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
供应商器件封装：
16-SOIC
封装/外壳：
16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
描述：
IC PWR SWITCH N-CHAN 1

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