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IPP65R600C6
厂商型号

IPP65R600C6

功能描述

650V CoolMOS C6 Power Transistor

丝印标识

65C6600

封装外壳

PG-TO220

文件大小

2.09837 Mbytes

页面数量

19

生产厂商 Infineon Technologies AG
企业简称

INFINEON英飞凌

中文名称

英飞凌科技股份公司官网

原厂标识
INFINEON
数据手册

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更新时间

2025-8-4 20:00:00

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IPP65R600C6规格书详情

描述 Description

CoolMOS™ is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies.

特性 Features

• Extremely low losses due to very low FOM Rdson^Qg and Eoss

• Very high commutation ruggedness

• Easy to use/drive

​​​​​​​• JEDEC1) qualified, Pb-free plating, available in Halogen free mold compound2)

Applications

PFC stages, hard switching PWM stages and resonant switching PWM

stages for e.g. PC Silverbox, Adapter, LCD & PDP TV, Lighting, Server,

Telecom and UPS.

产品属性

  • 型号:

    IPP65R600C6

  • 功能描述:

    MOSFET 650V CoolMOS C6 Power Transistor

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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