丝印：65R190F7；Package：PG-TO220-3；650V CoolMOSª CFD7 SJ Power Device

Features • Ultra-fast body diode • 650V break down voltage • Best-in-class RDS(on) • Reduced switching losses • Low RDS(on) dependency over temperature

文件：1.0428 Mbytes 页数：14 Pages

Infineon

英飞凌

650V CoolMOS™ CFD7 超结 MOSFET 采用 TO-247 封装，集成快速体二极管，是谐振高功率拓扑结构的理想之选

\n优势:\n• 出色的硬换向稳健性\n• 总线电压提高，为设计提供额外安全裕度\n• 可实现更高的功率密度\n• 可在工业开关电源 (SMPS) 应用中实现卓越轻载效率\n• 可在工业开关电源 (SMPS) 应用中提高满载效率\n• 相较于市面上的替代产品，价格更具竞争力;

Infineon

英飞凌

丝印：65A190F7；Package：PG-TO220-3；650V CoolMOSª CFD7A SJ Power Device

Features • Latest 650V automotive qualified technology with integrated fast body diode on the market featuring ultra low Qrr • Lowest FOM RDS(on)*Qg and RDS(on)*Eoss • 100 avalanche tested • Best-in-class RDS(on) in SMD and THD packages

文件：1.73828 Mbytes 页数：14 Pages

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650V CoolMOS™ N 沟道汽车级SJ 功率 MOSFET CFD7A

\n优势:\n• 在满足汽车寿命要求方面具有行业最高可靠性\n• 实现更高功率密度设计\n• 可扩展设计用于 PFC 和 DC-DC 级\n• 提供丰富的产品组合;

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