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IPP50R190CE中文资料500 V-950 V CoolMOS™ N 沟道功率 MOSFET数据手册Infineon规格书

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厂商型号

IPP50R190CE

功能描述

500 V-950 V CoolMOS™ N 沟道功率 MOSFET

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-9-22 20:15:00

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IPP50R190CE规格书详情

描述 Description

500V CoolMOS™ CE 是一款高性价比的平台,能够满足消费产品和照明市场中成本敏感型应用,同时仍然能满足高效率标准。该新系列具备快速开关超结 MOSFET 的所有优点,同时又不牺牲易用性,并且具有市场上出色的成本性能比。

特性 Features

• 减少储存在输出电容中的能量 (Eoss)
• 体二极管耐久性良好
• 减少反向恢复电荷 (Qrr)
• 减少栅极电荷 (Qg)

优势:
• 易于控制开关行为
• 与之前的几代 CoolMOS™ 相比,具有更高的轻载效率
• 与标准 MOSFET 相比,成本更具吸引力
• 杰出的 CoolMOS™ 技术质量和可靠性

应用 Application

• 消费品
• 照明
• PC silverbox

技术参数

  • 制造商编号

    :IPP50R190CE

  • 生产厂家

    :Infineon

  • OPN

    :IPP50R190CEXKSA1

  • Qualification

    :Non-Automotive

  • Package name

    :PG-TO220-3

  • VDS max

    :500 V

  • RDS (on) @10V max

    :190 mΩ

  • ID @25°C max

    :18.5 A

  • QG typ @10V

    :47.2 nC

  • Special Features

    :price/performance

  • Polarity

    :N

  • Operating Temperature min

    :-55 °C

  • VGS(th) min

    :2.5 V

  • VGS(th) max

    :3.5 V

  • Technology

    :CoolMOS™ CE

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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