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IPP410N30N中文资料N 沟道功率 MOSFET数据手册Infineon规格书

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厂商型号

IPP410N30N

功能描述

N 沟道功率 MOSFET

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-9-22 21:31:00

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IPP410N30N规格书详情

描述 Description

OptiMOS™300V MOSFET 采用快速二极管技术,特别针对体二极管硬换向进行了优化。这些设备不仅具有令人印象深刻的导通电阻(R DS(on))和品质因数(FOM),而且还可以通过市场上低反向恢复电荷(Q rr)提供高系统可靠性。英飞凌采用 300V Optimol ™ 系列,在电信、不间断电源(UPS)、工业电源、 DC-AC 逆变器和电机控制等硬开关应用中实现了新的性能水平。

特性 Features

• 快速二极管技术
• 行业较为出色的R DS (on),FOM 可降低58%以上
• 硬换向坚固性
• 优化的硬开关行为

优势:
• 极高的效率和功率密度
• 电路板空间和系统成本降低
• 高系统可靠性
• 出色的开关性能
• 产品易于设计

应用 Application

• 通信
• 不间断电源
• 工业电源
• DC-AC 逆变器
• 适用于 48-110V 系统的电机控制   

技术参数

  • 制造商编号

    :IPP410N30N

  • 生产厂家

    :Infineon

  • OPN

    :IPP410N30NAKSA1

  • Qualification

    :Non-Automotive

  • Package name

    :PG-TO220-3

  • VDS max

    :300 V

  • RDS (on) @10V max

    :41 mΩ

  • ID @25°C max

    :44 A

  • QG typ @10V

    :65 nC

  • Special Features

    :Fast Diode

  • Polarity

    :N

  • Operating Temperature min

    :-55 °C

  • Operating Temperature max

    :175 °C

  • Technology

    :OptiMOS™

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
INFINEON/英飞凌
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