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IPP052NE7N3	文件：338.05 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：338.05 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IPP052NE7N3G	文件：850.29 Kbytes Page：10 Pages	OptiMOS3 Power-Transistor 文件：850.29 Kbytes 页数：10 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
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IPP052NE7N3G_15	文件：833.58 Kbytes Page：10 Pages	N-channel, normal level 文件：833.58 Kbytes 页数：10 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IPP052NE7N3 G	文件：300 bytes Page：1 Pages	N 沟道功率 MOSFET 75V OptiMOS ™技术专门用于同步整流应用。这些 75V 产品基于领先的 80V 技术，同时具有最低的导通电阻和卓越的开关性能。 • 优化的同步整流技术\n• 全球最低的 R DS(on)\n• 优异的栅极电荷 x R DS(on) 乘积 (FOM)\n• MSL3 级;	Infineon 英飞凌	Infineon
IPP052NE7N3GXKSA1	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET N-CH 75V 80A TO220-3	Infineon 英飞凌	Infineon

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