丝印：030N10NS；Package：PG-TO220-3；MOSFET StrongIRFET™ 2 Power‑Transistor, 100 V

Features • Optimized for a wide range of applications • N‑channel, normal level • 100% avalanche tested • Pb‑free lead plating; RoHS compliant • Halogen‑free according to IEC61249‑2‑21

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isc N-Channel MOSFET Transistor

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无锡固电

OptiMOS3 Power-Transistor

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OptiMOS3 Power-Transistor

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isc N-Channel MOSFET Transistor

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ISC

无锡固电

OptiMOS짧5 Power-Transistor, 100 V

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Ideal for high frequency switching and sync. rec

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OptiMOS짧5 Power-Transistor, 100 V

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20V-300V N-Channel Power MOSFET

英飞凌的 100V OptiMOS™ 功率 MOSFET 可以为高效率、高功率密度的 SMPS 提供卓越的解决方案。与下一代出色技术相比，该系列在 R Ds（on）和 FOM（品质因数）方面均降低了30％。 • 优异的开关性能\n• 世界较低的 (R Ds(on))\n• 极低的 Qg 和 Qgd\n• 出色的栅极电荷 x R DS（on）产品（FOM）\n• 符合 RoHS 标准 - 无卤素\n• MSL1 评级 2\n\n优势:\n• 环保\n• 提高效率\n• 极高的功率密度\n• 减少并联\n• 极低的板空间消耗\n• 产品易于设计;

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OptiMOS ™ 5 功率 MOSFET 100 V，采用 TO-220 封装

OptiMOS™ 5 100V 功率 MOSFETs 专为通信和服务器电源中的同步整流而设计。此外，这些器件还可以在其他工业应用中使用，例如太阳能、低压驱动器和适配器。新型 OptiMOS™ 5 100V MOSFET 采用七种不同封装，提供了行业内较低 R DS(on)。 • 针对同步整流进行优化\n• 非常适合高开关频率\n• 输出电容降低高达 44%\n• 与前一代相比降低高达 43%\n\n优势:\n• 高系统效率\n• 降低开关和通态损耗\n• 减少并联\n• 增加功率密度\n• 低电压过冲;

Infineon

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