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|---|---|
| 1+ |
- 厂家型号：
IPI50CN10NG
- 产品分类：
IC芯片
- 生产厂商：
- 库存数量：
100000
- 产品封装：
TO-262
- 生产批号：
22+
- 库存类型：
- 更新时间：
2025-11-19 20:00:00
首页>IPI50CN10NG>详情
IPI50CN10NG_INFINEON/英飞凌_OptiMOS㈢2 Power-Transistor金芯世纪电子
- 详细信息
- 规格书下载
产品属性
- 类型
描述
- 制造商编号
：IPI50CN10NG
- 生产厂家
：英飞凌
- 技术
：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）
：100V
- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
：20A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
：10V
- 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
：50 毫欧 @ 20A，10V
- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
：4V @ 20µA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
：16nC @ 10V
- Vgs（最大值）
：±20V
- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
：1090pF @ 50V
- FET 功能
：-
- 功率耗散（最大值）
：44W（Tc）
- 工作温度
：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型
：通孔
- 供应商器件封装
：PG-TO262-3
- 封装/外壳
：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
供应商
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