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IPI100N08N3	文件：331.68 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：331.68 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IPI100N08N3G	文件：1.01601 Mbytes Page：11 Pages	丝印：100N08N；Package：PG-TO262-3；N-channel, normal level Features • Ideal for high frequency switching and sync. rec. • Optimized technology for DC/DC converters • Excellent gate charge x Ros(on) product (FOM) • N-channel, normal level • 100 avalanche tested • Pb-free plating; RoHS compliant • Qualified according to JEDEC) for target applications 文件：1.01601 Mbytes 页数：11 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IPI100N08N3G	文件：501.83 Kbytes Page：11 Pages	OptiMOS?? Power-Transistor Features Ideal for high frequency switching and sync. rec. 文件：501.83 Kbytes 页数：11 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IPP100N08N3	文件：338.57 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：338.57 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IPP100N08N3G	文件：1.01601 Mbytes Page：11 Pages	N-channel, normal level Features • Ideal for high frequency switching and sync. rec. • Optimized technology for DC/DC converters • Excellent gate charge x Ros(on) product (FOM) • N-channel, normal level • 100 avalanche tested • Pb-free plating; RoHS compliant • Qualified according to JEDEC) for target applications 文件：1.01601 Mbytes 页数：11 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
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详细参数

型号：
IPI100N08N3
功能描述：
MOSFET N-KANAL POWER MOS
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多IPI100N08N3供应商更新时间2025-12-13 11:10:00

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