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JMTK50N03A	文件：487.988 Kbytes Page：6 Pages		JJWJieJie Microelectronics Co., Ltd. 捷捷微江苏捷捷微电子股份有限公司 PDF上传者：深圳市溢航科技有限公司	JJW
KIA50N03	文件：61.49 Kbytes Page：3 Pages	50Amps,30VoltsN-CHANNELMOSFET	KIAGuangdong Keyia Semiconductor Technology Co., Ltd 可易亚半导体广东可易亚半导体科技有限公司	KIA
LMAK50N03	文件：1.3403 Mbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司	LEIDITECH
MCAC50N03Y	文件：853.51 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
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MSD50N03	文件：289.75 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelLogicLevelEnhancementModePowerMOSFET	BWTECH Bruckewell Technology LTD	BWTECH
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MTP50N03	文件：300.38 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=50A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=25mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
NDT50N03	文件：1.85138 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFET	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
NTD50N03R	文件：79.51 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTD50N03RG	文件：79.51 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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P50N03LDG	文件：285.27 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor [Niko-Sem]	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
P50N03LDG	文件：1.01774 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
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PHB50N03	文件：108.76 Kbytes Page：11 Pages	N-channelTrenchMOStransistorLogiclevelFET GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodelogiclevelfield-effectpowertransistorinaplasticenvelopeusing’trench’technology. FEATURES •’Trench’technology •Verylowon-stateresistance •Fastswitching •Highthermalcyclingperformance •Lowthermalresistance •Logiclevel	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
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PHB50N03T	文件：63.66 Kbytes Page：7 Pages	TrenchMOStransistorStandardlevelFET GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodestandardlevelfield-effectpowertransistorinaplasticenvelopesuitableforsurfacemountingusing’trench’technology.Thedevicefeaturesverylowon-stateresistanceandhasintegralzenerdiodesgivingESDprotectionupto2kV.Itisintended	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips

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更多IPDO50N03L供应商更新时间2024-9-20 11:45:00

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