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IPF06N03LA	文件：413.86 Kbytes Page：11 Pages	OptiMOS2Power-Transistor Features •Idealforhigh-frequencydc/dcconverters •QualifiedaccordingtoJEDECfortargetapplication •N-channel,logiclevel •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Superiorthermalresistance •175°Coperatingtemperature	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
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IPF06N03LA	文件：418.76 Kbytes Page：12 Pages	OptiMOS짰2Power-Transistor Features •Idealforhigh-frequencydc/dcconverters •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplication •N-channel,logiclevel •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Superiorthermalresistance •175°Coperatingtemperature •Pb-freeleadplating;RoHScompliant	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
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IPI06N03LA	文件：347.1 Kbytes Page：10 Pages	OptiMOS2Power-Transistor Features •Idealforhigh-frequencydc/dcconverters •N-channel •Logiclevel •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Verylowon-resistanceRDS(on) •Superiorthermalresistance •175°Coperatingtemperature •dv/dtrated	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
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