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IPDD60R037CM8中文资料IPDD60R037CM8 - 600 V CoolMOS ™ 8 功率晶体管数据手册Infineon规格书

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厂商型号

IPDD60R037CM8

功能描述

IPDD60R037CM8 - 600 V CoolMOS ™ 8 功率晶体管

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-9-30 15:28:00

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IPDD60R037CM8规格书详情

描述 Description

600 V CoolMOS ™ 8 SJ MOSFET 系列是 600 V CoolMOS ™ 7 MOSFET 系列(包括 P7、S7、CFD7、C7 (G7) 和 PFD7)的后续产品。它的栅极电荷 (Qg) 比 CFD7 降低了 20%,关断损耗 (Eoss) 比 CFD7 进一步降低了 12%,反向恢复电荷 (Qrr) 与 CFD7 相比降低了 3%,并且具有市场上最低的反向恢复时间 (trr)。

特性 Features

• 一流的 RDS(on)*A

• 大幅减少损失

• 出色的换向坚固性

• 集成快速体二极管

• .XT 互连

• ESD 保护

• 顶部冷却 D-DPAK 封装

技术参数

  • 制造商编号

    :IPDD60R037CM8

  • 生产厂家

    :Infineon

  • IDpulsmax

    :230 A

  • QG(typ @10V)

    :79 nC

  • QG

    :79 nC

  • RDS (on)(@10V) max

    :37 mΩ

  • RDS (on)max

    :37 mΩ

  • VDSmax

    :600 V

  • VGS(th)

    :4.2 V

  • Mounting

    :SMT

  • Package

    :D-DPAK

  • Operating Temperature

    :-55 °C to 150 °C

  • Polarity

    :N

  • Budgetary Price €/1k

    :2.78

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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