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IPD90R1K2C3中文资料PDF规格书
IPD90R1K2C3规格书详情
• DESCRITION
• High peak current capability
• FEATURES
• Static drain-source on-resistance: RDS(on)≤1.2Ω
• Enhancement mode:
• 100 avalanche tested
• Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation
产品属性
- 型号:
IPD90R1K2C3
- 功能描述:
MOSFET N-Channel MOSFET 500-900V
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon/英飞凌 |
21+ |
PG-TO252-3 |
8800 |
公司只作原装正品 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
22+ |
TO-263 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
21+ |
PG-TO252-3 |
13880 |
公司只售原装,支持实单 |
询价 | ||
NA |
23+ |
NA |
26094 |
10年以上分销经验原装进口正品,做服务型企业 |
询价 | ||
Infineon |
QFN |
22+ |
2500 |
原厂代理原装正品 |
询价 | ||
Infineon(英飞凌) |
23+ |
NA |
7000 |
原装正品!假一罚十! |
询价 | ||
INFINEON |
22+ |
TO-252 |
9800 |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
询价 | ||
INFINEON |
23+ |
TO-252 |
5000 |
询价 | |||
INFINEON |
24+ |
TO-252 |
5000 |
原装正品 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
20+ |
TO-252 |
16130 |
询价 |