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IPD90N04S3-H4中文资料40 V、N沟道、最大4.3 mΩ、汽车MOSFET、DPAK、OptiMOS ™ -T数据手册Infineon规格书

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厂商型号

IPD90N04S3-H4

功能描述

40 V、N沟道、最大4.3 mΩ、汽车MOSFET、DPAK、OptiMOS ™ -T

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-10-3 16:12:00

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IPD90N04S3-H4规格书详情

特性 Features

• N沟道 - 增强模式

• 符合汽车 AEC Q101 标准

• MSL1 最高回流温度可达 260°C 峰值

• 工作温度为 175°C

• 绿色封装(符合 RoHS 标准)

• 100% Avalanche 测试

• 支持 PPAP 的设备

技术参数

  • 制造商编号

    :IPD90N04S3-H4

  • 生产厂家

    :Infineon

  • IDpulsmax

    :360 A

  • Ptotmax

    :115 W

  • QG(typ @10V)

    :46 nC

  • QG(typ @10V) max

    :60 nC

  • RDS (on)(@10V) max

    :4.3 mΩ

  • RthJCmax

    :1.3 K/W

  • VDSmax

    :40 V

  • VGS(th)

    :3 V

  • Package

    :DPAK (PG-TO252-3)

  • Operating Temperature

    :-55 °C to 175 °C

  • Technology

    :OptiMOS™-T

  • Launch year

    :2008

  • Polarity

    :N

  • Currently planned availability until at least

    :2027

  • Qualification

    :Automotive

  • Budgetary Price €/1k

    :0.83

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Infineon(英飞凌)
24+
TO-252
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支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。
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Infineon/英飞凌
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