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IPD65R380E6中文资料500 V-950 V CoolMOS™ N 沟道功率 MOSFET数据手册Infineon规格书
IPD65R380E6规格书详情
描述 Description
CoolMOS™ C6/E6系列将 Infineon 作为领先的SJ MOSFET供应商的经验与一流的创新相结合。这些器件提供了快速开关 SJ MOSFET 的所有优点，同时又不牺牲易用性。极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑、轻巧且散热性更好。600V CoolMOS ™ E6 可替代 600V CoolMOS ™ C3。650V CoolMOS ™ E6 可替代 650V CoolMOS ™ C3。
特性 Features
• 易于控制开关行为
• 非常高的换向坚固性
• 由于品质因数 (R DS(ON)*Q g) 和 E oss) 非常低，损耗也极低
• 易于使用
• 与 C3 相比，轻载效率更高
• 凭借久经考验的 CoolMOS ™品质和高体二极管坚固性，实现了卓越的可靠性
• 与前几代 CoolMOS ™相比，性价比更高
• 更高效、更紧凑、更轻便、更散热
技术参数
- 制造商编号
：IPD65R380E6
- 生产厂家
：Infineon
- ID (@25°C) max
：10.6 A
- IDpulsmax
：29 A
- Ptotmax
：83 W
- QG
：39 nC
- QG(typ @10V)
：39 nC
- RDS (on)(@10V) max
：380 mΩ
- RDS (on)max
：380 mΩ
- RthJAmax
：62 K/W
- RthJCmax
：1.5 K/W
- Rth
：1.5 K/W
- VDSmax
：650 V
- VGS(th)
：2.5 V to 3.5 V
- Mounting
：SMT
- Package
：DPAK
- Operating Temperaturemin
：-55 °C
- Pin Count
：3 Pins
- Polarity
：N
- Budgetary Price €/1k
：0.59
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON |
24+ |
TO252 |
90000 |
原装现货实单必成 |
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INFINEON/英飞凌 |
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TO-252 |
100000 |
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INFINEON/英飞凌 |
24+ |
NA/ |
6979 |
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INFINEON/英飞凌 |
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TO252 |
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INFINEON/英飞凌 |
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