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IPD60R1K4C6规格书详情
描述 Description
CoolMOS™ is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies.
特性 Features
• Extremely low losses due to very low FOM Rdson^Qg and Eoss
• Very high commutation ruggedness
• Easy to use/drive
• JEDEC1) qualified, Pb-free plating
Applications
PFC stages, hard switching PWM stages and resonant switching PWM stages
for e.g. PC Silverbox, Adapter, LCD & PDP TV, Lighting, Server, Telecom
and UPS.
产品属性
- 型号：
IPD60R1K4C6
- 功能描述：
MOSFET N-CH 650V 3.2A
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
NA/ |
3720 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
询价 | ||
INFINEO |
24+ |
TO-252 |
80000 |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
25+ |
TO-252 |
32360 |
INFINEON/英飞凌全新特价IPD60R1K4C6即刻询购立享优惠#长期有货 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
25+ |
TO252 |
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百分百原装现货 实单必成 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
22+ |
SOT-252 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
询价 | ||
INFINEON |
19+ |
TO252 |
83 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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INFINEON |
22+ |
原厂原封装 |
86720 |
全新原装进口现货价格优惠 本公司承诺原装正品假一赔 |
询价 | ||
INFINEON |
23+ |
PG-TO252-3 |
50000 |
原装正品 支持实单 |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
23+ |
TO-252 |
12700 |
买原装认准中赛美 |
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INFINEON |
2430+ |
TO252 |
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