选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市特莱科技有限公司6年
留言
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INFINEON/英飞凌DPAK(TO-252) |
21000 |
21+23+ |
16年电子元件现货供应商 终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市英科美电子有限公司9年
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INFINEON/英飞凌SOT-252 |
17653 |
2021+ |
原装进口假一罚十 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
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Infineon(英飞凌)TO-252 |
9555 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市亚泰盈科电子有限公司11年
留言
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INFINEONSOT-252 |
30216 |
提供BOM表配单TEL:0755-83759919QQ:2355705587杜S |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
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INFINEON/英飞凌TO252 |
7906200 |
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深圳市欧立现代科技有限公司10年
留言
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INFINEONSOT-252 |
9518 |
22+ |
绝对原装现货,价格低,欢迎询购! |
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深圳市赛能新源半导体有限公司4年
留言
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INFINEONTO-251 |
60000 |
21+ |
原装正品进口现货 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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IRTO-252 |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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INFINEON/英飞凌DPAK(TO-252) |
31518 |
17+ |
原装正品 可含税交易 |
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深圳市奥皇科技有限公司1年
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Infineon/英飞凌PG-TO252-3 |
30638 |
22+ |
只做原装现货工厂免费出样欢迎咨询订单 |
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深圳市福田区晶康业电子商行2年
留言
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INENOISOT252 |
32500 |
21+ |
全新原装,价格优势 |
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深圳市慧业盛科技有限公司1年
留言
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30526 |
23+ |
全新原装,有询必回 |
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中天科工半导体(深圳)有限公司13年
留言
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Infineon TechnologiesPG-TO252-3 |
30000 |
23+ |
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晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
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深圳市金华微盛电子有限公司5年
留言
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InfineonTO-252 |
12000 |
19+ |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
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INFINEON/英飞凌SOT-252 |
16300 |
20+ |
终端可免费提供样品,欢迎咨询 |
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深圳市星辰微电科技有限公司3年
留言
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InfineonPG-TO252-3 |
15500 |
23+ |
英飞凌优势渠道全系列在售 |
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深圳市弘扬芯城科技有限公司1年
留言
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Infineon(英飞凌)TO2523 |
6000 |
23+ |
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深圳市创盛芯科技有限公司3年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-252 |
533 |
22+ |
原装现货假一赔十 |
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深圳市润联芯城科技有限公司1年
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INFINEONPG-TO252-3 |
50000 |
23+ |
原装正品 支持实单 |
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深圳市柏芯特电子科技有限公司1年
留言
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Infineon/英飞凌PG-TO252-3 |
5000 |
2023 |
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公司原装现货/支持实单 |
IPD4采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
IPD4图片
IPD400N06NG价格
IPD400N06NG价格:¥1.6663品牌:Infineon
生产厂家品牌为Infineon的IPD400N06NG多少钱,想知道IPD400N06NG价格是多少?参考价:¥1.6663。这里提供2024年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,IPD400N06NG批发价格及采购报价,IPD400N06NG销售排行榜及行情走势,IPD400N06NG报价。
IPD40DP06NM中文资料Alldatasheet PDF
更多IPD400N06N G功能描述:MOSFET N-CH 60V MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IPD400N06NG制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:OptiMOS? Power-Transistor Features N-channel enhancement - normal level Avalanche rated
IPD400N06NG_08制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:OptiMOS? Power-Transistor Features N-channel enhancement - normal level Avalanche rated
IPD400N06NGBTMA1制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 60V 27A 3-Pin(2+Tab) TO-252 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:N-KANAL POWER MOS - Tape and Reel 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CH 60V 27A TO-252
IPD40N03S4L-08功能描述:MOSFET N-Channel 30V MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IPD40N03S4L-08_10制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:OptiMOS-T2 Power-Transistor
IPD40N03S4L08ATMA1制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 40A 3-Pin(2+Tab) TO-252 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET - Tape and Reel
IPD49CN10N G功能描述:MOSFET OptiMOS 2 PWR TRANST 100V 20A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IPD49CN10NG制造商:Infineon Technologies AG
IPD49CN10NGXT制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 20A 3-Pin(2+Tab) TO-252