IPD35N10S3L-26(3N10L26)规格书应用电路供应商报价-114ic电子网

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IPD35N10S3L-26	文件：354.62 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor ·FEATURES ·DrainCurrent–ID=35A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=24mΩ(Max) ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation ·DESCRITION ·UltraLowOn-resistance ·F	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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IPD35N10S3L-26	文件：188.79 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS-TPower-Transistor Features •N-channel-Enhancementmode •AutomotiveAECQ101qualified •MSL1upto260°Cpeakreflow •175°Coperatingtemperature •Greenproduct(RoHScompliant) •100Avalanchetested	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon

更多IPD35N10S3L-26(3N10L26)供应商更新时间2024-6-8 15:30:00