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SDD20N03L	文件：802.04 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ●SuperhighdensecelldesignforlowRDS(ON). ●Ruggedandreliable. ●TO-252andTO-251Package.	SamhopSamHop Microelectronics Corp. 三合微科三合微科股份有限公司	Samhop
SDD20N03L	文件：960.02 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
SDU20N03L	文件：960.28 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-free •TrenchFET®GenIIIPowerMOSFET •100RgTested •100UISTested APPLICATIONS •DC/DCConversion -SystemPower	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
SDU20N03L	文件：802.04 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ●SuperhighdensecelldesignforlowRDS(ON). ●Ruggedandreliable. ●TO-252andTO-251Package.	SamhopSamHop Microelectronics Corp. 三合微科三合微科股份有限公司	Samhop
SSD20N03	文件：693.19 Kbytes Page：5 Pages	N-ChEnhancementModePowerMOSFET DESCRIPTION TheSSD20N03providethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-252packageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialsurfacemountapplicationsandsuitedforlowvoltageapplicati	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
SSM20N03P	文件：453.67 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNELENHANCEMENT-MODEPOWERMOSFET	SSC Silicon Standard Corp.	SSC
SSM20N03S	文件：453.67 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNELENHANCEMENT-MODEPOWERMOSFET	SSC Silicon Standard Corp.	SSC
STD20N03L	文件：801.98 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES •SuperhighdensecelldesignforlowRDS(ON). •Ruggedandreliable. •TO-252andTO-251Package.	SamhopSamHop Microelectronics Corp. 三合微科三合微科股份有限公司	Samhop
STU20N03L	文件：801.98 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES •SuperhighdensecelldesignforlowRDS(ON). •Ruggedandreliable. •TO-252andTO-251Package.	SamhopSamHop Microelectronics Corp. 三合微科三合微科股份有限公司	Samhop
STU20N03L	文件：914.16 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

详细参数

型号：
IPD20N03L
功能描述：
MOSFET N-CH 30V 30A DPAK
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
OptiMOS™
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市安富世纪电子有限公司	IPD20N03L	Infineon/英飞凌	20+	TO-252	16300	终端可免费提供样品,欢迎咨询	询价
深圳市坤融电子科技有限公司	IPD20N03L	INFINEON/英飞凌	24+	TO-252	2500	只做原厂渠道可追溯货源	询价
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更多IPD20N03L供应商更新时间2025-5-20 13:01:00

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