首页 >IPD200N15N3 G>规格书列表
| 零件编号 | 下载 订购 | 功能描述/丝印 | 制造商 上传企业 | LOGO |
|---|---|---|---|---|
N-channel,normallevel | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 | Infineon | ||
OptiMOS??Power-TransistorFeaturesExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 | Infineon | ||
iscN-ChannelMOSFETTransistor | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 | ISC | ||
OptiMOS??Power-TransistorFeaturesExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 | Infineon | ||
N-ChannelMOSFETTransistor | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 | ISC | ||
OptiMOS??Power-TransistorFeaturesExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 | Infineon |
详细参数
- 型号：
IPD200N15N3 G
- 功能描述：
MOSFET OptiMOS 3 PWR TRANST 150V 50A
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon |
23+ |
TO-252-3-11 |
7750 |
全新原装优势 |
询价 | ||
INFINE0N |
23+ |
TO-252 |
11846 |
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十 |
询价 | ||
23+ |
NA |
2500 |
专做原装正品,假一罚百! |
询价 | |||
infineon |
1822+ |
TO-252 |
9852 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
询价 | ||
infineon |
18+ |
TO-252 |
41200 |
原装正品,现货特价 |
询价 | ||
INFINEON |
24+ |
TO252 |
20000 |
全新原厂原装，进口正品现货，正规渠道可含税！！ |
询价 | ||
INFINEON |
24+ |
NA |
6000 |
全新原装正品现货,假一赔佰 |
询价 | ||
INFINE0N |
21+ |
DPAK (TO-252) |
32568 |
100%进口原装!长期供应!绝对优势价格(诚信经营 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
23+ |
TO-252 |
30000 |
全新原装现货,价格优势 |
询价 | ||
infineon |
16+PBF |
TO-252 |
812 |
现货 |
询价 |
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