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IPD135N08N3

N-Channel MOSFET Transistor

文件:336.8 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

IPD135N08N3G

OptiMOS3 Power-Transistor

文件:445.22 Kbytes 页数:9 Pages

Infineon

英飞凌

IPD135N08N3G

Ideal for high frequency switching

文件:360.7 Kbytes 页数:9 Pages

Infineon

英飞凌

IPD135N08N3G_14

Ideal for high frequency switching

文件:360.7 Kbytes 页数:9 Pages

Infineon

英飞凌

IPD135N08N3 G

N 沟道功率 MOSFET

OptiMOS™ 系列是高效率解决方案的市场领导者,适用于发电(例如太阳能微逆变器)、电源(例如服务器和通信)以及功耗(例如电动车)领域。 • 优化直流-直流转换器技术\n• 出色的栅极电荷 x R DS(ON) 产品 (FOM)\n• 出色的耐热性\n• 双面冷却\n• 寄生电感低\n• 纤薄外形 (<0.7mm)\n• N通道,正常电平\n• 100% 经过雪崩测试\n• 无铅镀层;符合 RoHS\n\n\n优势:;

Infineon

英飞凌

详细参数

  • 型号:

    IPD135N08N

  • 制造商:

    Infineon Technologies AG

  • 功能描述:

    Trans MOSFET N-CH 80V 45A 3-Pin(2+Tab) TO-252

  • 功能描述:

    N-KANAL POWER MOS - Tape and Reel

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 80V 45A TO252-3

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Infineon(英飞凌)
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更多IPD135N08N供应商 更新时间2025-11-25 16:22:00