选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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INFINEON/英飞凌TO252 |
7906200 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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INFINEON/英飞凌TO252-3 |
5000 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市金华微盛电子有限公司5年
留言
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Infineon/英飞凌SOT252 |
36000 |
2019+ |
原盒原包装 可BOM配套 |
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深圳市赛能新源半导体有限公司4年
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INFINEON/英飞凌TO-252 |
60000 |
21+ |
原装正品进口现货 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
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IRTO-252 |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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INFINEOTO-252 |
8000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳市亚泰盈科电子有限公司11年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-252 |
15000 |
只做原装支持实单需要联系Q:235 |
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深圳市珩瑞科技有限公司3年
留言
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6000 |
21+ |
原装正品 |
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深圳市特莱科技有限公司6年
留言
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INFINEON/英飞凌SOT252 |
7500 |
21+23+ |
16年电子元件现货供应商 终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市富芯乐电子科技有限公司9年
留言
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INFINEON/英飞凌TO252-3 |
23290 |
23+ |
全新原装现货特价销售,欢迎来电查询 |
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深圳好佳好科技有限公司13年
留言
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INTO-252 |
36000 |
1436+ |
绝对原装进口现货可开增值税发票 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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TO-252 |
68900 |
Infineon |
原包原标签100%进口原装常备现货! |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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InfineonTO-252 |
562000 |
2320+ |
16年只做原装原标渠道现货终端BOM表可配单提供样品 |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
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Infineon |
35200 |
21+ |
一级代理/放心采购 |
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深圳诚思涵科技有限公司9年
留言
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INTO-252 |
85600 |
18+ |
保证进口原装可开17%增值税发票 |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
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INFINEONTO-252 |
8000 |
23+ |
只做原装现货 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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INFINEONTO-252 |
8000 |
22+ |
终端可免费供样,支持BOM配单 |
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深圳市百视威讯电子科技有限公司3年
留言
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N/A |
13150 |
23+ |
正品授权货源可靠 |
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京海半导体(深圳)有限公司3年
留言
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InfineonTO-252 |
10000 |
21+ |
原装现货假一罚十 |
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深圳市莱克讯科技有限公司5年
留言
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InfineonTO-252 |
44558 |
2017+ |
深圳香港代理原装现货库存(美国-日本-台湾)可开正规增 |
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IPD09N03图片
IPD09N03LAG价格
IPD09N03LAG价格:¥1.1700品牌:INFINEON
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更多IPD09N03L制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:OptiMOS Buck converter series
IPD09N03LA制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:OptiMOS 2 Power-Transistor
IPD09N03LA G功能描述:MOSFET N-CH 25V 50A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IPD09N03LAG制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPD09N03LAGBUMA1制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CH 25V 50A DPAK
IPD09N03LAGXT制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 25V 50A 3-Pin(2+Tab) TO-252
IPD09N03LB G功能描述:MOSFET N-CH 30V 50A DPAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:OptiMOS™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IPD09N03LBG功能描述:MOSFET N-Channel MOSFET 20-200V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IPD09N03LBGXT制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) TO-252