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IPD060N03L G中文资料N 沟道功率 MOSFET数据手册Infineon规格书

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厂商型号

IPD060N03L G

功能描述

N 沟道功率 MOSFET

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-9-22 22:58:00

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IPD060N03L G规格书详情

描述 Description

极低的栅极和输出电荷,结合极低的导通状态电阻和小体积封装,使 OptiMOS™ 25V 成为要求较高的服务器、数据通信和通信电压调节器解决方案的最佳选择。OptiMOS™ 30V 产品专为满足笔记本电脑的电源管理需求而量身定制,可改善电磁干扰行为,以及延长电池寿命。可用于半桥配置(功率级 5x6)

特性 Features

• 极低的栅极和输出电荷
• 极低的导通状态电阻,小体积封装
• 设计导入容易

优势:
• 延长电池寿命
• 改进 EMI 表现,无需外部缓冲器网络
• 节省成本
• 节约空间 
• 减少功率损耗

应用 Application

• 板载充电器
• 应用指南
• 主板
• 直流-直流
• VRD/VRM
• 电机控制
• LED

技术参数

  • 制造商编号

    :IPD060N03L G

  • 生产厂家

    :Infineon

  • OPN

    :IPD060N03LGATMA1

  • Qualification

    :Non-Automotive

  • Package name

    :DPAK (TO-252) (PG-TO252-3)

  • VDS max

    :30 V

  • RDS (on) @10V max

    :6 mΩ

  • RDS (on) @4.5V max

    :9 mΩ

  • ID @25°C max

    :50 A

  • QG typ @10V

    :22 nC

  • QG typ @4.5V

    :10.8 nC

  • Polarity

    :N

  • Operating Temperature min

    :-55 °C

  • Operating Temperature max

    :175 °C

  • VGS(th) min

    :1 V

  • VGS(th) max

    :2.2 V

  • Technology

    :OptiMOS™ 3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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