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IPD053N08N3 G数据手册Infineon中文资料规格书

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厂商型号

IPD053N08N3 G

功能描述

20V-300V N-Channel Power MOSFET

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-8-7 16:49:00

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IPD053N08N3 G规格书详情

描述 Description

OptiMOS™ 系列是高效率解决方案的市场领导者,适用于发电(例如太阳能微逆变器)、电源(例如服务器和通信)以及功耗(例如电动车)领域。

特性 Features

• 优化直流-直流转换器技术
• 出色的栅极电荷 x R DS(ON) 产品 (FOM)
• 出色的耐热性
• 双面冷却
• 寄生电感低
• 纤薄外形 (<0.7mm)
• N通道,正常电平
• 100% 经过雪崩测试
• 无铅镀层;符合 RoHS


优势:

应用 Application

• 太阳能
• 消费品
• 通信
• 服务器
• 计算机电源
• 直流-直流
• 交流-直流
• 适配器
• 开关电源(SMPS)
• LED
• 电机控制

技术参数

  • 制造商编号

    :IPD053N08N3 G

  • 生产厂家

    :Infineon

  • OPN

    :IPD053N08N3GATMA1

  • Qualification

    :Non-Automotive

  • Package name

    :PG-TO252-3

  • VDS max

    :80 V

  • RDS (on) @10V max

    :5.3 mΩ

  • ID @25°C max

    :90 A

  • QG typ @10V

    :52 nC

  • Polarity

    :N

  • Operating Temperature min

    :-55 °C

  • Operating Temperature max

    :175 °C

  • Technology

    :OptiMOS™ 3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
INFINEON
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