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IPD042P03L3G

OptiMOSTM P3 Power-Transistor

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Infineon

英飞凌

IPD042P03L3G

OptiMOSTM P3 Power-Transistor

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IPD042P03L3G_14

OptiMOSTM P3 Power-Transistor

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Infineon

英飞凌

IPD042P03L3G

20V-250V P-Channel Power MOSFET

英飞凌高度创新型 OptiMOS™ 系列包括 P 通道功率 MOSFET。这些产品始终满足电力系统设计关键规范中的至高质量和性能要求,例如导通电阻特性和品质因数特性。 • 增强模式\n• 雪崩评级\n• 无铅镀层;符合 RoHS\n• 小信号封装,经 AEC Q101 认证\n\n优势:;

Infineon

英飞凌

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Infineon
原厂封装
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更多IPD042P03L3供应商 更新时间2025-11-17 14:54:00