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IPD038N06NF2S	文件：997.86 Kbytes Page：11 Pages	丝印：038N06NS；Package：PG-TO252-3；StrongIRFETTM2 Power-Transistor Features • Optimized for wide range of applications • N-channel, normal level • 100 avalanche tested • Pb-free lead plating; RoHS compliant • Halogen-free according to IEC61249-2-21 文件：997.86 Kbytes 页数：11 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
IPD038N06NF2S	文件：300 bytes Page：1 Pages	StrongIRFET ™ 2 单 N 沟道功率 MOSFET 60 V，采用 DPAK 封装 \n优势:\n• Multi-vendor compatibility\n• Right-fit products\n• Supports a wide variety of applications\n• Standard pinout allows for drop-in replacement\n• Increased current carrying capability\n• Ease of manufacturing;	Infineon 英飞凌	Infineon
IPD048N06L3G	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-252	Infineon/英飞凌上传：深圳德田科技有限公司	Infineon/英飞凌
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更多IPD038N06NF2S供应商更新时间2024-2-29 11:17:00