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IPD031N03M G	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3	Infineon 英飞凌	Infineon
IPD031N03M-G	文件：420.4 Kbytes Page：10 Pages	OpiMOS 3 Power-Transistor 文件：420.4 Kbytes 页数：10 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IPD031N03M-G	文件：420.4 Kbytes Page：10 Pages	OpiMOS 3 Power-Transistor 文件：420.4 Kbytes 页数：10 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IPS031N03L	文件：247.11 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor • FEATURES • With TO-251(IPAK) packaging • High speed switching • Easy to use • 100 avalanche tested • Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation • APPLICATIONS • Power supply • DC-DC converters • Motor control • Switching applications 文件：247.11 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IPS031N03LG	文件：308.88 Kbytes Page：10 Pages	OptiMOS?? Power-Transistor Features • Fast switching MOSFET for SMPS • Optimized technology for DC/DC converters • Qualified according to JEDEC1) for target applications • N-channel, logic level • Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) • Very low on-resistance R DS(on) • Avalanche rated • Pb-free plating; Ro 文件：308.88 Kbytes 页数：10 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

技术：
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：
30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：
90A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
4.5V，10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：
3.1 毫欧 @ 30A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：
2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）：
51nC @ 10V
Vgs（最大值）：
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：
5300pF @ 15V
工作温度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：
表面贴装
供应商器件封装：
PG-TO252-3
封装/外壳：
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

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更多IPD031N03M G供应商更新时间2025-11-19 16:30:00

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