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IPD031N03LG

OptiMOS?? Power-Transistor

Features • Fast switching MOSFET for SMPS • Optimized technology for DC/DC converters • Qualified according to JEDEC1) for target applications • N-channel, logic level • Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) • Very low on-resistance R DS(on) • Avalanche rated • Pb-free plating; Ro

文件:308.88 Kbytes 页数:10 Pages

Infineon

英飞凌

IPD031N03L

N-Channel MOSFET Transistor

文件:335.17 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

IPD031N03L-G

OpiMOS 3 Power-Transistor

文件:420.4 Kbytes 页数:10 Pages

Infineon

英飞凌

IPD031N03M-G

OpiMOS 3 Power-Transistor

文件:420.4 Kbytes 页数:10 Pages

Infineon

英飞凌

IPD031N03L G

N 沟道功率 MOSFET

超低栅极和输出电荷,加上小尺寸封装中的最低导通电阻,使 OptiMOS ™ 25V 成为满足服务器、数据通信和电信应用中电压调节器解决方案苛刻要求的最佳选择。OptiMOS ™ 30V 产品通过改善 EMI 行为并延长电池寿命来满足笔记本电脑电源管理的需求。提供半桥配置(功率级 5x6) • 超低栅极和输出电荷\n• 最低导通电阻\n• 易于设计;

Infineon

英飞凌

IPD031N03M G

MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3

Infineon

英飞凌

详细参数

  • 型号:

    IPD031N03

  • 制造商:

    Infineon Technologies AG

  • 功能描述:

    SP000680554_N-KANAL POWER MOS_TR_RO

  • 功能描述:

    MOSFET N-Channel 30V 90A OptiMOS3 TO252

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
Infineon(英飞凌)
24+
标准封装
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INFINEON/英飞凌
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更多IPD031N03供应商 更新时间2025-11-24 15:40:00