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IPC045N25N3中文资料20V-300V N-Channel Power MOSFET数据手册Infineon规格书

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厂商型号

IPC045N25N3

功能描述

20V-300V N-Channel Power MOSFET

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-9-23 12:08:00

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IPC045N25N3规格书详情

描述 Description

英飞凌凭借  OptiMOS™ 200V 和 250V 产品,不断提供具有独特性能的同类中较为出色的导通电阻 (R DS(on)) 功率 MOSFET。领先的导通电阻 R DS(on) 和品质因数 (FOM) 特征可降低功耗,提高整体效率并提高功率密度。200V 和 250V 产品系列针对 110V AC 网络照明、HID 灯、直流-直流转换器和有源以太网 (PoE) 等应用进行了优化。

特性 Features

• 行业内较低的 (RDS(on))
• 低 Qg和 Qgd
• 世界范围内较低的FOM

优势:
• 高效率
• 高功率密度
• 低板空间消耗
• 减少并联
• 改善系统成本
• 产品易于设计
• 环保

应用 Application

• 110V AC 网络„照明
• 有源以太网 (PoE)
• 通信和工业应用的直流-直流转换器„ 
• HID 灯

技术参数

  • 制造商编号

    :IPC045N25N3

  • 生产厂家

    :Infineon

  • VGS(th) min max

    :2.0V 4.0V

  • Technology 

    :OptiMOS™ 3

  • VDS 

    :250 V

  • Die Size(X) 

    :1.8 mm

  • Die Size(Y) 

    :2.5 mm

  • Die Size(Area) 

    :4.5 mm²

  • Thickness 

    :250

  • Mode 

    :Enhancement

  • EAS/Avalanche Energy 

    :120.0mJ 

  • Die Size(-) min max

    :1.8mm² 2.5mm²

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Infineon
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