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IPB50CN10NGATMA1中文资料MOSFET N-CH 100V 20A TO263-3数据手册Infineon规格书

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厂商型号

IPB50CN10NGATMA1

功能描述

MOSFET N-CH 100V 20A TO263-3

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-9-27 16:38:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :IPB50CN10NGATMA1

  • 生产厂家

    :Infineon

  • 技术

    :MOSFET(金属氧化物)

  • 漏源电压(Vdss)

    :100V

  • 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)

    :20A(Tc)

  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

    :10V

  • 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)

    :50 毫欧 @ 20A,10V

  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)

    :4V @ 20µA

  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)

    :16nC @ 10V

  • Vgs(最大值)

    :±20V

  • 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)

    :1090pF @ 50V

  • FET 功能

    :-

  • 功率耗散(最大值)

    :44W(Tc)

  • 工作温度

    :-55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安装类型

    :表面贴装

  • 供应商器件封装

    :PG-TO263-3-2

  • 封装/外壳

    :TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
FAIRCHILD
25+
TO-263
4500
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TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T
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2023+
TO-263
50000
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