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IPB339N20NM6	文件：1.15575 Mbytes Page：11 Pages	丝印：339N20N6；Package：PG-TO263-3；MOSFET OptiMOSTM 6 Power-Transistor, 200 V Features • N-channel, normal level • Very low on-resistance RDS(on) • Excellent gate charge x RDS(on) product (FOM) • Very low reverse recovery charge (Qrr) • High avalanche energy rating • 175°C operating temperature • Pb-free lead plating; RoHS compliant • Halogen-free according to IEC61 文件：1.15575 Mbytes 页数：11 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
IPB339N20NM6	文件：300 bytes Page：1 Pages	OptiMOS ™ 6 功率 MOSFET 200 V 正常电平，TO-220 封装 \n优势:;	Infineon 英飞凌	Infineon
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IPB60R299CPAATMA1	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO263	INFINEON 英飞凌上传：深圳市毅创辉电子科技有限公司	INFINEON
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