丝印：339N20N6；Package：PG-TO220-3；MOSFET OptiMOSTM 6 Power-Transistor, 200 V

Features • N-channel, normal level • Very low on-resistance RDS(on) • Excellent gate charge x RDS(on) product (FOM) • Very low reverse recovery charge (Qrr) • High avalanche energy rating • 175°C operating temperature • Pb-free lead plating; RoHS compliant • Halogen-free according to IEC61

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XENSIV ™ - TLE4973 EVAL 120A 板是一款电流传感器评估板，适用于评估三相系统，电流高达 ~120A*

IPP339N20NM6 OptiMOS ™ 6 200 V 正在制定新的技术标准。它满足了高功率密度、高效率和高可靠性的需求。OptiMOS ™ 6 200 V 技术旨在实现 LEV、叉车和无人机等电机驱动应用的最佳性能。新型 OptiMOS ™ 6 具有业界领先的 RDS(on)、改进的开关和电流共享能力，可实现高功率密度、更少的并联和出色的 EMI 性能。改进的开关行为使 OptiMOS ™ 6 200 V 系列成为电信、服务器、太阳能或音频等任何类型开关应用的理想选择。此外，宽 SOA 与业界领先的 RDS(on) 相结合，使其完美适合 BMS 等静态开关应用。 • RDS(on) 降低 42%\n• Qrr(typ) 降低 89%\n• 二极管软化 3 倍以上\n• 电容线性度改善\n• SOA 改善\n• 无铅电镀，符合 RoHS 标准;

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MOSFET OptiMOSTM 6 Power-Transistor, 200 V

Features • N-channel, normal level • Very low on-resistance RDS(on) • Excellent gate charge x RDS(on) product (FOM) • Very low reverse recovery charge (Qrr) • High avalanche energy rating • 175°C operating temperature • Pb-free lead plating; RoHS compliant • Halogen-free according to IEC61

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