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IPB080N06N G

MOSFET N-CH 60V 80A TO-263

Infineon

英飞凌

IPB080N06NG

OptiMOS짰 Power-Transistor

文件:446.46 Kbytes 页数:10 Pages

Infineon

英飞凌

IPB080N06NG

OptiMOS??Power-Transistor Features Low gate charge for fast switching applications

文件:421.18 Kbytes 页数:10 Pages

Infineon

英飞凌

IPP080N06NG

OptiMOS??Power-Transistor Features Low gate charge for fast switching applications

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Infineon

英飞凌

详细参数

  • 型号:

    IPB080N06N G

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 60V 80A

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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更多IPB080N06N G供应商 更新时间2025-11-7 16:30:00