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INFINEON/英飞凌TO-263

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InfineonTO263-3

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INFINEON/英飞凌TO-263

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ITO263

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INFINEOND2PAK(TO-263)

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INFINEON-英飞凌TO-263-3

83500

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Infineon(英飞凌)

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IPB080N03LGATMA1

INFINEON-英飞凌TO263-2

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洪芯国际半导体（深圳）有限公司

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InfineonQFN

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IPB080N03LGATMA1

Infineon TechnologiesD2PAK(TO-263AB)

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Infineon TechnologiesTO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T

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INFINEON/英飞凌TO-263

60100

24+

郑重承诺只做原装进口现货

深圳市安富世纪电子有限公司

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2955

23+

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INFINOENTO-263

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IPB080N03L G功能描述:MOSFET OptiMOS 3 PWR TRANS 30V 50A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

IPB080N03LGATMA1制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) TO-263 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:N-KANAL POWER MOS - Tape and Reel 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CH 30V 50A TO263-3

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