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IPB080N03L

OptiMOS?? Power-Transistor

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Infineon

英飞凌

IPB080N03LG

丝印:080N03L;Package:PG-TO263-3;OptiMOS?? Power-Transistor

Features • Fast switching MOSFET for SMPS • Optimized technology for DC/DC converters • Qualified according to JEDEC1) for target applications • N-channel, logic level • Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) • Very low on-resistance R DS(on) • Avalanche rated • Pb-free plating; Ro

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Infineon

英飞凌

IPB080N03LG

OptiMOS?? Power-Transistor

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Infineon

英飞凌

IPB080N03L-G

OptiMOS?? Power-Transistor

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Infineon

英飞凌

IPB080N03L G

N 沟道功率 MOSFET

极低的栅极和输出电荷,结合极低的导通状态电阻和小体积封装,使 OptiMOS™ 25V 成为要求较高的服务器、数据通信和通信电压调节器解决方案的最佳选择。OptiMOS™ 30V 产品专为满足笔记本电脑的电源管理需求而量身定制,可改善电磁干扰行为,以及延长电池寿命。可用于半桥配置(功率级 5x6) • 极低的栅极和输出电荷\n• 极低的导通状态电阻,小体积封装\n• 设计导入容易\n\n优势:\n• 延长电池寿命\n• 改进 EMI 表现,无需外部缓冲器网络\n• 节省成本\n• 节约空间 \n• 减少功率损耗;

Infineon

英飞凌

技术参数

  • Package :

    D2PAK (TO-263)

  • VDS max:

    30.0V

  • RDS (on) max:

    8.0mΩ

  • RDS (on)(@4.5V) max:

    11.9mΩ

  • Polarity :

    N

  • ID  max:

    50.0A

  • Ptot max:

    47.0W

  • IDpuls max:

    350.0A

  • VGS(th) min max:

    1.0V 2.2V

  • QG :

    8.7nC 

  • RthJA max:

    62.0K/W

  • Operating Temperature min max:

    -55.0°C 175.0°C

  • Pin Count :

    3.0Pins 

  • Mounting :

    SMD

  • Rth :

    3.2K/W 

  • RthJC max:

    3.2K/W

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INFINEON/英飞凌
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更多IPB080N03L供应商 更新时间2025-10-7 14:14:00