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IPB05N03LAG中文资料OptiMOS®2 Power-Transistor数据手册Infineon规格书

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厂商型号

IPB05N03LAG

功能描述

OptiMOS®2 Power-Transistor

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌

数据手册

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更新时间

2026-10-1 22:38:00

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技术参数

  • 型号:

    IPB05N03LAG

  • 功能描述:

    MOSFET N-Channel MOSFET 20-200V

  • RoHS:

    否

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Infineon(英飞凌)
26+
NA
8000
原装现货 极速发货 一站式原装元器件BOM配单
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4500
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23+
标准封装
7000
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标准封装
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23+
T262
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