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IPB042N10N3 G E8187 | IPB042N10N3 G E8187 | IPB042N10N3 G E8187 |
详细参数
- 型号:
IPB042N10N3 G E8187
- 功能描述:
MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3
- RoHS:
是
- 类别:
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列:
OptiMOS™
- 标准包装:
1,000
- 系列:
MESH OVERLAY™ FET
- 型:
MOSFET N 通道,金属氧化物 FET
- 特点:
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss):
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C:
18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°
- C:
180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的
- Vgs(th)(最大):
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs:
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds:
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大:
40W
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装:
TO-220FP
- 包装:
管件
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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INFENION |
23+ |
TO-263 |
10065 |
原装正品,有挂有货,假一赔十 |
询价 | ||
INFENION |
23+ |
TO-263 |
10000 |
原装正品现货 |
询价 | ||
INFINEON |
1415+ |
TO-263 |
28500 |
全新原装正品,优势热卖 |
询价 | ||
INFINEON |
23+ |
TO-263-3 |
6680 |
全新原装优势 |
询价 | ||
INFINEON |
17+ |
TO263 |
6200 |
100%原装正品现货 |
询价 | ||
INFINEON |
1728+ |
TO-263-3 |
8500 |
只做原装进口,假一罚十 |
询价 | ||
Infineon |
18+ |
NA |
3000 |
进口原装正品优势供应QQ3171516190 |
询价 | ||
INFINEON |
2018+ |
TO263 |
11256 |
只做进口原装正品!假一赔十! |
询价 | ||
INFINEON |
19+ |
TO263 |
74289 |
原厂代理渠道,每一颗芯片都可追溯原厂; |
询价 | ||
INFINEO |
23+ |
NA |
5000 |
专业电子元器件供应链正迈科技特价代理QQ1304306553 |
询价 |
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更新时间2024-9-24 16:10:00
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